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Typical Characteristics
10
600
I D = -4A
V DS = -5V
-10V
C iss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
-15V
450
6
300
4
2
150
C rss
C oss
0
0
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
10
SINGLE PULSE
10
r DS(on) LIMIT
100us
8
R JA = 156°C/W
T A = 25°C
1ms
6
1
10ms
V GS = -10V
100ms
4
0.1
SINGLE PULSE
R JA = 156 o C/W
1s
2
T A = 25 C
0.01
o
DC
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
1
R JA = 156 C/W
D = 0.5
0.2
R JA (t) = r(t) x R JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P x R JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC658AP Rev. B 1
4
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